光刻機和蝕刻機一直都是當前最熱的話(huà)題，可以說(shuō)光刻機是芯片制造的魂，蝕刻機是芯片制造的魄，要想制造高端的芯片，這兩個(gè)東西都必須頂尖。那它們倆有什么區別呢？最簡(jiǎn)單的解釋就是光刻機把電路圖投影到覆蓋有光刻膠的硅片上面，刻蝕機再把剛才畫(huà)了電路圖的硅片上的多余電路圖腐蝕掉，這樣看起來(lái)似乎沒(méi)什么難的，但是有一個(gè)形象的比喻，每一塊芯片上面的電路結構放大無(wú)數倍來(lái)看比整個(gè)北京都復雜，這就是這光刻和蝕刻的難度。

       光刻的過(guò)程就是先在制作好的硅圓表面涂上一層光刻膠（一種可以被光腐蝕的膠狀物質(zhì)），接下來(lái)通過(guò)光線(xiàn)（工藝難度紫外光＜深紫外光＜極紫外光）透過(guò)掩膜照射到硅圓表面（類(lèi)似投影），因為光刻膠的覆蓋，照射到的部分被腐蝕掉，沒(méi)有光照的部分被留下來(lái)，這部分便是需要的電路結構。

       蝕刻分為兩種，一種是干刻，一種是濕刻（目前主流），顧名思義，濕刻就是過(guò)程中有水加入，將上面經(jīng)過(guò)光刻的晶圓與特定的化學(xué)溶液反應，去掉不需要的部分，剩下的便是電路結構了，干刻目前還沒(méi)有實(shí)現商業(yè)量產(chǎn)，其原理是通過(guò)等離子體代替化學(xué)溶液，去除不需要的硅圓部分。

       目前我國光刻機和蝕刻機的發(fā)展很尷尬，屬于嚴重偏科的情況，中微半導體7nm蝕刻機的量產(chǎn)，直接邁入世界一流行列，5nm蝕刻機也在實(shí)驗階段，而光刻機與世界最先進(jìn)的7nm制程都相去甚遠，在這兩條道路上，蝕刻機要再接再厲，而光刻機則需要迎頭趕上。

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