近年來(lái)隨著(zhù)光電產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，高集成度和高性能的半導體晶圓需求不斷增長(cháng)，硅、碳化硅、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應用于半導體晶圓的襯底材料。隨著(zhù)晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向于輕薄化，傳統的很多加工方式已經(jīng)不再適用，于是在部分工序引入了激光隱形切割技術(shù)。

       激光切割技術(shù)具有諸多獨特的優(yōu)勢：

       1、非接觸式加工：激光的加工只有激光光束與加工件發(fā)生接觸，沒(méi)有刀削力作用于切割件，避免對加工材料表面造成損傷。

       2、加工精度高，熱影響小：脈沖激光可以做到瞬時(shí)功率極高、能量密度極高而平均功率很低，可瞬間完成加工且熱影響區域極小，確保高精密加工，小熱影響區域。

       3、加工效率高，經(jīng)濟效益好：激光加工效率往往是機械加工效果的數倍且沒(méi)有耗材無(wú)污染。 半導體晶圓的激光隱形切割技術(shù)是一種全新的激光切割工藝，具有切割速度快、切割不產(chǎn)生粉塵、無(wú)切割基材耗損、所需切割道小、完全干制程等諸多優(yōu)勢。隱切切割主要原理是將短脈沖激光光束透過(guò)材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質(zhì)層，然后通過(guò)外部施加壓力使芯片分開(kāi)。

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